GaAs中的离子注入技术

Ion Implantation in GaAs

摘要: 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件． Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si⁺, S⁺, Be⁺, Mg⁺, B⁺, O⁺have been investigated in this paper.

Abstract: Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si⁺, S⁺, Be⁺, Mg⁺, B⁺, O⁺have been investigated in this paper.