高级检索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响

姬庆刚 刘杰 李东青 刘天奇 叶兵 赵培雄 孙友梅 陆妩 郑齐文

姬庆刚, 刘杰, 李东青, 刘天奇, 叶兵, 赵培雄, 孙友梅, 陆妩, 郑齐文. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J]. 原子核物理评论, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
引用本文: 姬庆刚, 刘杰, 李东青, 刘天奇, 叶兵, 赵培雄, 孙友梅, 陆妩, 郑齐文. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J]. 原子核物理评论, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
JI Qinggang, LIU Jie, LI Dongqing, LIU Tianqi, YE Bing, ZHAO Peixiong, SUN Youmei, LU Wu, ZHENG Qiwen. Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices[J]. Nuclear Physics Review, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
Citation: JI Qinggang, LIU Jie, LI Dongqing, LIU Tianqi, YE Bing, ZHAO Peixiong, SUN Youmei, LU Wu, ZHENG Qiwen. Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices[J]. Nuclear Physics Review, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367

电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响

doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
基金项目: 国家自然科学基金资助项目(U1532261,11690041,11675233)
详细信息
    作者简介:

    姬庆刚(1991-),男,河北唐山人,博士研究生,从事总剂量与单粒子协同效应研究;E-mail:jiqinggang@impcas.ac.cn

    通讯作者: 刘杰,E-mail:j.liu@impcas.ac.cn。
  • 中图分类号: O571.33

Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices

Funds: National Natural Science Foundation of China (U1532261, 11690041, 11675233)
  • 摘要: 电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。
  • [1] ECOFFET R. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 60(3):1791.
    [2] OLDHAM T R LELIS A J, BOESCH H E, et al. IEEE Transactions on Nuclear Science, 1987, 34(6):1184.
    [3] ZEBREV G I, GORBUNOV M S. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2009, 56(4):2230.
    [4] DODD P E, MASSENGILL L W. Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2003, 50(3):583.
    [5] MENG Zhiqin, HAO Yue, TANG Yu, et al. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(2):241. (in Chinese). (孟志琴, 郝跃, 唐瑜, 等. 半导体学报, 2007, 28(2):241.)
    [6] NAIR D, GALE R. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 60(4):2611.
    [7] SCHWANK J R, SHANEYFELT M R, FELIX J A, et al. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2006, 53(4):1772.
    [8] KOGA R, YU P, CRAWFORD K, et al. Synergistic Effects of Total Ionizing Dose on SEU Sensitive SRAMs[C]//2009 IEEE Radiation Effects Data Workshop IEEE, 2009:127.
    [9] FACCIO F, CERVELLI G. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2005, 52(6):2413.
    [10] GUO Hongxia, DING Lili, XIAO Yao, et al. Chinese Physics B, 2016, 25(9):096109.
    [11] ZHENG Qiwen, CUI Jiangwei, ZHOU Hang, et al. Chinese Physics B, 2015, 24(10):106106.
    [12] ZHENG Qiwen, CUI Jiangwei, LU Wu, et al. IEEE Transactions on Nuclear Science, 201865(8):1920.
    [13] SCHWANK J R, DODD P E, SHANEYFELT M R, et al. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2004, 51(6):3592.
    [14] DRESSENDORFER P V, VSODEN J M, HARRINGTON J J, et al. IEEE Transactions on Nuclear Science, 1981, 28(6):4281.
    [15] ZHENG Qiwen, CUI Jiangwei, LU Wu, et al. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 65(2):691.
    [16] RABAEY J M, CHANDRAKASAN A, NIKOLIC B Digital Integrated Circuits:A Design Perspective[M]. 2ed. Beijing:Publishing House of Electronics Industry, 2017. (in Chinese) (RABAEY J M, CHANDRAKASAN A, NIKOLIC B. 数字集成电路:电路、系统与设计[M]. 第2版. 北京:电子工业出版社, 2017.)
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1743
  • HTML全文浏览量:  253
  • PDF下载量:  64
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2019-01-29
  • 修回日期:  2019-03-03
  • 刊出日期:  2019-09-20

电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响

doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
    基金项目:  国家自然科学基金资助项目(U1532261,11690041,11675233)
    作者简介:

    姬庆刚(1991-),男,河北唐山人,博士研究生,从事总剂量与单粒子协同效应研究;E-mail:jiqinggang@impcas.ac.cn

    通讯作者: 刘杰,E-mail:j.liu@impcas.ac.cn。
  • 中图分类号: O571.33

摘要: 电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。

English Abstract

姬庆刚, 刘杰, 李东青, 刘天奇, 叶兵, 赵培雄, 孙友梅, 陆妩, 郑齐文. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J]. 原子核物理评论, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
引用本文: 姬庆刚, 刘杰, 李东青, 刘天奇, 叶兵, 赵培雄, 孙友梅, 陆妩, 郑齐文. 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J]. 原子核物理评论, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
JI Qinggang, LIU Jie, LI Dongqing, LIU Tianqi, YE Bing, ZHAO Peixiong, SUN Youmei, LU Wu, ZHENG Qiwen. Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices[J]. Nuclear Physics Review, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
Citation: JI Qinggang, LIU Jie, LI Dongqing, LIU Tianqi, YE Bing, ZHAO Peixiong, SUN Youmei, LU Wu, ZHENG Qiwen. Impact of Total Ionizing Dose on Single Event Upset Sensitivity of Nano-SRAMs Devices[J]. Nuclear Physics Review, 2019, 36(3): 367-372. doi: 10.11804/NuclPhysRev.36.03.367
参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回