高级检索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用

吴英 安竹

吴英, 安竹. 蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用[J]. 原子核物理评论, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062
引用本文: 吴英, 安竹. 蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用[J]. 原子核物理评论, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062
WU Ying, AN Zhu. Application of Monte Carlo Simulations in Measurement of Atomic Inner-shell Ionization Cross-sections by Low-energy Electron Impact[J]. Nuclear Physics Review, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062
Citation: WU Ying, AN Zhu. Application of Monte Carlo Simulations in Measurement of Atomic Inner-shell Ionization Cross-sections by Low-energy Electron Impact[J]. Nuclear Physics Review, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062

蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用

doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062

Application of Monte Carlo Simulations in Measurement of Atomic Inner-shell Ionization Cross-sections by Low-energy Electron Impact

  • 摘要: 在Monte Carlo方法模拟keV电子碰撞薄膜/厚衬底靶过程中,输入材料数据中采用的内壳层电离截面数据不同,得到的反映膜厚及村底对电离截面测量结果影响的修正因子值也有差别。讨论了Monte Carlo模拟得到的修正因子值受输入材料数据中内壳层电离截面影响的程度,并完成了入射keV电子在法拉第筒中逃逸率的估算工作。 The sensitivity of the correction factor, which describes the combined effect of finite film thickness and the thick substrate in the measurement of atomic inner-shell ionization cross-sections by low-energy electron impact, to the adopted ionization cross-sections in the Monte Carlo simulation is discussed. Moreover, the electron escape ratio from the Faraday cup in our experiment is also obtained by Monte Carlo method.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1786
  • HTML全文浏览量:  139
  • PDF下载量:  612
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  2006-03-20

蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用

doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062

摘要: 在Monte Carlo方法模拟keV电子碰撞薄膜/厚衬底靶过程中,输入材料数据中采用的内壳层电离截面数据不同,得到的反映膜厚及村底对电离截面测量结果影响的修正因子值也有差别。讨论了Monte Carlo模拟得到的修正因子值受输入材料数据中内壳层电离截面影响的程度,并完成了入射keV电子在法拉第筒中逃逸率的估算工作。 The sensitivity of the correction factor, which describes the combined effect of finite film thickness and the thick substrate in the measurement of atomic inner-shell ionization cross-sections by low-energy electron impact, to the adopted ionization cross-sections in the Monte Carlo simulation is discussed. Moreover, the electron escape ratio from the Faraday cup in our experiment is also obtained by Monte Carlo method.

English Abstract

吴英, 安竹. 蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用[J]. 原子核物理评论, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062
引用本文: 吴英, 安竹. 蒙特卡罗方法在低能电子致原子内壳层电离截面测量中的应用[J]. 原子核物理评论, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062
WU Ying, AN Zhu. Application of Monte Carlo Simulations in Measurement of Atomic Inner-shell Ionization Cross-sections by Low-energy Electron Impact[J]. Nuclear Physics Review, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062
Citation: WU Ying, AN Zhu. Application of Monte Carlo Simulations in Measurement of Atomic Inner-shell Ionization Cross-sections by Low-energy Electron Impact[J]. Nuclear Physics Review, 2006, 23(1): 62-65. doi: 10.11804/NuclPhysRev.23.01.062

目录

    /

    返回文章
    返回