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12C离子模拟质子引起的单粒子效应

张庆祥 侯明东 甄红楼 刘杰

张庆祥, 侯明东, 甄红楼, 刘杰. 用12C离子模拟质子引起的单粒子效应[J]. 原子核物理评论, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169
引用本文: 张庆祥, 侯明东, 甄红楼, 刘杰. 用12C离子模拟质子引起的单粒子效应[J]. 原子核物理评论, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169
ZHANG Qing-xiang, HOU Ming-dong, ZHEN Hong-lou, LIU Jie. Simulation of Proton Induced SEE with High Energy 12C[J]. Nuclear Physics Review, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169
Citation: ZHANG Qing-xiang, HOU Ming-dong, ZHEN Hong-lou, LIU Jie. Simulation of Proton Induced SEE with High Energy 12C[J]. Nuclear Physics Review, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169

12C离子模拟质子引起的单粒子效应

doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169

Simulation of Proton Induced SEE with High Energy 12C

  • 摘要: 在理论分析的基础上 ,提出了一种利用兰州重离子加速器提供的高能12C离子模拟质子引起单粒子效应的途径 .在保证核反应机制是引起单粒子效应主要机制的前提下,用高能12C离子可以模拟质子在功率金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管中引起的单粒子烧毁以及单粒子栅极击穿 ,获得质子单粒子效应的饱和截面 ,定性研究质子单粒子效应的角度效应 ,还可以作为高能质子单粒子效应实验前的预备实验 .该方法拓展了兰州重离子加速器加速的轻的重离子在单粒子效应实验研究方面的应用 ,对现阶段国内开展质子单粒子效应实验研究具有重要意义. The mechanisms for proton and heavy ion induced single event effect (SEE) are discussed and a method to simulate proton induced SSEE (PSEE) with high energy 12 C is proposed in this paper. The experiments which can be done by using this method include single event burnout (SEB) and single event gate rupture in power MOSFET, single event upset (SEU) and single event transient (SET) in less sensitive device and angle effect. The experimets with high energy ...
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出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  2001-09-20

12C离子模拟质子引起的单粒子效应

doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169

摘要: 在理论分析的基础上 ,提出了一种利用兰州重离子加速器提供的高能12C离子模拟质子引起单粒子效应的途径 .在保证核反应机制是引起单粒子效应主要机制的前提下,用高能12C离子可以模拟质子在功率金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管中引起的单粒子烧毁以及单粒子栅极击穿 ,获得质子单粒子效应的饱和截面 ,定性研究质子单粒子效应的角度效应 ,还可以作为高能质子单粒子效应实验前的预备实验 .该方法拓展了兰州重离子加速器加速的轻的重离子在单粒子效应实验研究方面的应用 ,对现阶段国内开展质子单粒子效应实验研究具有重要意义. The mechanisms for proton and heavy ion induced single event effect (SEE) are discussed and a method to simulate proton induced SSEE (PSEE) with high energy 12 C is proposed in this paper. The experiments which can be done by using this method include single event burnout (SEB) and single event gate rupture in power MOSFET, single event upset (SEU) and single event transient (SET) in less sensitive device and angle effect. The experimets with high energy ...

English Abstract

张庆祥, 侯明东, 甄红楼, 刘杰. 用12C离子模拟质子引起的单粒子效应[J]. 原子核物理评论, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169
引用本文: 张庆祥, 侯明东, 甄红楼, 刘杰. 用12C离子模拟质子引起的单粒子效应[J]. 原子核物理评论, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169
ZHANG Qing-xiang, HOU Ming-dong, ZHEN Hong-lou, LIU Jie. Simulation of Proton Induced SEE with High Energy 12C[J]. Nuclear Physics Review, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169
Citation: ZHANG Qing-xiang, HOU Ming-dong, ZHEN Hong-lou, LIU Jie. Simulation of Proton Induced SEE with High Energy 12C[J]. Nuclear Physics Review, 2001, 18(3): 169-173. doi: 10.11804/NuclPhysRev.18.03.169

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