MeV高能离子注入Si的研究

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MeV高能离子注入Si的研究

卢武星, 吴瑜光

文章导航 > 原子核物理评论 > 1997 > 14(3): 181-184

卢武星, 吴瑜光. MeV高能离子注入Si的研究[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

引用本文:

卢武星, 吴瑜光. MeV高能离子注入Si的研究[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

LU Wu-xing, WU Yu-guang. Study on Implanted Silicon with MeV Ions[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

Citation:

LU Wu-xing, WU Yu-guang. Study on Implanted Silicon with MeV Ions[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

MeV高能离子注入Si的研究

doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

北京师范大学低能核物理所; 北京市辐射中心

Study on Implanted Silicon with MeV Ions

(Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal University; Beijing Radiation Center; Beijing 100875);

摘要: 综述了近年来低能核物理所开展ＭｅＶ高能离子注入Ｓｉ的研究概况．研究工作包括深注入掩埋层物理特性分析，新型增强退火研究，二次缺陷的抑制与消除，离子束缺陷工程新原理、新方法的建立和应用，注入杂质的叠加分布与计算等． This paper presents a briefing of the development of implanted silicon with MeV high energy ion at the BNU of late years. A lot of subjects are reviewed.
- 高能注入 /
- 增强退火 /
- 缺陷工程
Abstract: This paper presents a briefing of the development of implanted silicon with MeV high energy ion at the BNU of late years. A lot of subjects are reviewed.
- high energy implantation /
- enhanced annealing /
- defect engineering

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MeV高能离子注入Si的研究

doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

北京师范大学低能核物理所; 北京市辐射中心

收稿日期: 1900-01-01
修回日期: 1900-01-01
刊出日期: 1997-09-20

关键词:

摘要: 综述了近年来低能核物理所开展ＭｅＶ高能离子注入Ｓｉ的研究概况．研究工作包括深注入掩埋层物理特性分析，新型增强退火研究，二次缺陷的抑制与消除，离子束缺陷工程新原理、新方法的建立和应用，注入杂质的叠加分布与计算等． This paper presents a briefing of the development of implanted silicon with MeV high energy ion at the BNU of late years. A lot of subjects are reviewed.

English Abstract

卢武星, 吴瑜光. MeV高能离子注入Si的研究[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

引用本文:

卢武星, 吴瑜光. MeV高能离子注入Si的研究[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

LU Wu-xing, WU Yu-guang. Study on Implanted Silicon with MeV Ions[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

Citation:

LU Wu-xing, WU Yu-guang. Study on Implanted Silicon with MeV Ions[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 181-184. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.181

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