GaAs中的离子注入技术

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaAs中的离子注入技术

李国辉, 姬成周, 刘伊犁, 罗晏, 韩德俊

文章导航 > 原子核物理评论 > 1997 > 14(3): 177-180

李国辉, 姬成周, 刘伊犁, 罗晏, 韩德俊. GaAs中的离子注入技术[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

引用本文:

李国辉, 姬成周, 刘伊犁, 罗晏, 韩德俊. GaAs中的离子注入技术[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

LI Guo-hui, JI Cheng-zhou, LIU Yi-li, LUO Yan, HAN De-jun. Ion Implantation in GaAs[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

Citation:

LI Guo-hui, JI Cheng-zhou, LIU Yi-li, LUO Yan, HAN De-jun. Ion Implantation in GaAs[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

GaAs中的离子注入技术

doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

北京师范大学低能核物理所

Ion Implantation in GaAs

Institute of Low Energy Nuclear Physics; Beijing Normal University; Beijing 100875

摘要: 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件． Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si⁺, S⁺, Be⁺, Mg⁺, B⁺, O⁺have been investigated in this paper.
- GaAs /
- 离子注入 /
- 白光快速退火
Abstract: Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si⁺, S⁺, Be⁺, Mg⁺, B⁺, O⁺have been investigated in this paper.
- GaAs /
- ion implantation /
- rapid thermal annealing

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 2015
HTML全文浏览量: 134
PDF下载量: 561
被引次数: 0

GaAs中的离子注入技术

doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

北京师范大学低能核物理所

收稿日期: 1900-01-01
修回日期: 1900-01-01
刊出日期: 1997-09-20

关键词:

白光快速退火

摘要: 在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一．介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术．对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新见解；该离子注入新工艺已经应用于ＧａＡｓ器件和集成电路的研制，获得了多种新型器件． Optical and electrical properties of Si GaAs wafers implanted with Si⁺, S⁺, Be⁺, Mg⁺, B⁺, O⁺have been investigated in this paper.

English Abstract

李国辉, 姬成周, 刘伊犁, 罗晏, 韩德俊. GaAs中的离子注入技术[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

引用本文:

李国辉, 姬成周, 刘伊犁, 罗晏, 韩德俊. GaAs中的离子注入技术[J]. 原子核物理评论, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

LI Guo-hui, JI Cheng-zhou, LIU Yi-li, LUO Yan, HAN De-jun. Ion Implantation in GaAs[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

Citation:

LI Guo-hui, JI Cheng-zhou, LIU Yi-li, LUO Yan, HAN De-jun. Ion Implantation in GaAs[J]. Nuclear Physics Review, 1997, 14(3): 177-180. doi: 10.11804/NuclPhysRev.14.03.177

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回