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超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用

王柱生 晁致远 许金兰

王柱生, 晁致远, 许金兰. 超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055
引用本文: 王柱生, 晁致远, 许金兰. 超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055
Wang Zhu-sheng, Chao Zhi-yuan, Xu Jin-lan. Development of Superthin Epitaxial Silicon Detectors[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055
Citation: Wang Zhu-sheng, Chao Zhi-yuan, Xu Jin-lan. Development of Superthin Epitaxial Silicon Detectors[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055

超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用

doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055

Development of Superthin Epitaxial Silicon Detectors

  • 摘要: 本文介绍了厚度为5.2、6、7和10μm,有效面积为28~154mm2的超薄型外延硅dE/dX探测器(对于8.78MeVa粒子的能损ΔK的分辨为48~76keV)及其研制工艺、主要用途、测试结果及在核物理实验中的应用. The epitaxial st-dE/dX surface barrier detectors with an active area of 28~154mm2 and thickness of 5. 2~10μm have been developed. This kind of detector can be used for measuring α-particle, proton with low energy and for distinguishing particles...
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出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  1995-09-20

超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用

doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055

摘要: 本文介绍了厚度为5.2、6、7和10μm,有效面积为28~154mm2的超薄型外延硅dE/dX探测器(对于8.78MeVa粒子的能损ΔK的分辨为48~76keV)及其研制工艺、主要用途、测试结果及在核物理实验中的应用. The epitaxial st-dE/dX surface barrier detectors with an active area of 28~154mm2 and thickness of 5. 2~10μm have been developed. This kind of detector can be used for measuring α-particle, proton with low energy and for distinguishing particles...

English Abstract

王柱生, 晁致远, 许金兰. 超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055
引用本文: 王柱生, 晁致远, 许金兰. 超薄型外延硅dE/dX探测器及其在核实验中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055
Wang Zhu-sheng, Chao Zhi-yuan, Xu Jin-lan. Development of Superthin Epitaxial Silicon Detectors[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055
Citation: Wang Zhu-sheng, Chao Zhi-yuan, Xu Jin-lan. Development of Superthin Epitaxial Silicon Detectors[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(3): 55-57. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.03.055

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