高级检索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用

杭德生

杭德生. 12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067
引用本文: 杭德生. 12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067
Hang De-sheng. An Application of 12MeV Electron Irradiation in Semiconductor Devices[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067
Citation: Hang De-sheng. An Application of 12MeV Electron Irradiation in Semiconductor Devices[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067

12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用

doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067

An Application of 12MeV Electron Irradiation in Semiconductor Devices

  • 摘要: 本文较全面地介绍了高能12MeV电子辐照技术的原理、方法、特点以及在快速二极管、开关晶体管,快速可控硅中成功的应用. This article gives complete introduction to the principles, method and traits of the technology of the high-energy 12MeV electron irradiation. It also describes a successful application in fast diode, switch transistor and fast SCR.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1766
  • HTML全文浏览量:  143
  • PDF下载量:  546
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  1995-06-20

12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用

doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067

摘要: 本文较全面地介绍了高能12MeV电子辐照技术的原理、方法、特点以及在快速二极管、开关晶体管,快速可控硅中成功的应用. This article gives complete introduction to the principles, method and traits of the technology of the high-energy 12MeV electron irradiation. It also describes a successful application in fast diode, switch transistor and fast SCR.

English Abstract

杭德生. 12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067
引用本文: 杭德生. 12MeV电子辐照技术在半导体器件中的应用[J]. 原子核物理评论, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067
Hang De-sheng. An Application of 12MeV Electron Irradiation in Semiconductor Devices[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067
Citation: Hang De-sheng. An Application of 12MeV Electron Irradiation in Semiconductor Devices[J]. Nuclear Physics Review, 1995, 12(2): 67-68. doi: 10.11804/NuclPhysRev.12.02.067

目录

    /

    返回文章
    返回