半导体器件的辐射效应

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半导体器件的辐射效应

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洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. 原子核物理评论, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026

引用本文:

洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. 原子核物理评论, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026

洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. Nuclear Physics Review, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026

Citation:

洪忠悌. 半导体器件的辐射效应[J]. Nuclear Physics Review, 1988, 5(3): 26-30. doi: 10.11804/NuclPhysRev.05.03.026

摘要: 抗核辐射电子学对于国防和经济建设都有重大意义。为了研究出使电子器件和系统具有抗辐射能力的技术措施,就必须首先研究辐射对电子器件和系统的影响(辐射效应)以及辐射如何对电子器件和系统产生影响(损伤机制)。本文评述了辐射环境、辐射效应和损伤机制、模拟实验方法和设备以及发展概况。

Abstract: 抗核辐射电子学对于国防和经济建设都有重大意义。为了研究出使电子器件和系统具有抗辐射能力的技术措施,就必须首先研究辐射对电子器件和系统的影响(辐射效应)以及辐射如何对电子器件和系统产生影响(损伤机制)。本文评述了辐射环境、辐射效应和损伤机制、模拟实验方法和设备以及发展概况。