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He注入单晶Si表面形貌的变化研究

李炳生 张崇宏 杨义涛 周丽宏

李炳生, 张崇宏, #, 杨义涛, 周丽宏. He注入单晶Si表面形貌的变化研究[J]. 原子核物理评论, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
引用本文: 李炳生, 张崇宏, #, 杨义涛, 周丽宏. He注入单晶Si表面形貌的变化研究[J]. 原子核物理评论, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
LI Bing-sheng, #, YANG Yi-tao, ZHOU Li-hong, . Study of Surface Morphology of Helium Implanted Silicon[J]. Nuclear Physics Review, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
Citation: LI Bing-sheng, #, YANG Yi-tao, ZHOU Li-hong, . Study of Surface Morphology of Helium Implanted Silicon[J]. Nuclear Physics Review, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144

He注入单晶Si表面形貌的变化研究

doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
详细信息
    通讯作者: 张崇宏

Study of Surface Morphology of Helium Implanted Silicon

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出版历程
  • 收稿日期:  1900-01-01
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  2008-06-20

He注入单晶Si表面形貌的变化研究

doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
    通讯作者: 张崇宏

摘要: 沿Si的(100)面注入He离子, 能量为30 keV、 剂量为5×1016 ions/cm2。 注入后样品切成几块, 在真空炉中分别做退火处理, 退火温度从600 ℃到1 000 ℃, 退火时间均为30 min。 利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化。 发现样品表面形貌与退火温度相关联。 假设在气泡中He原子与空位的比值很高, 导致样品内部存在高压的He泡, 从而使样品表面形貌发生变化。 探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响。

English Abstract

李炳生, 张崇宏, #, 杨义涛, 周丽宏. He注入单晶Si表面形貌的变化研究[J]. 原子核物理评论, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
引用本文: 李炳生, 张崇宏, #, 杨义涛, 周丽宏. He注入单晶Si表面形貌的变化研究[J]. 原子核物理评论, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
LI Bing-sheng, #, YANG Yi-tao, ZHOU Li-hong, . Study of Surface Morphology of Helium Implanted Silicon[J]. Nuclear Physics Review, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144
Citation: LI Bing-sheng, #, YANG Yi-tao, ZHOU Li-hong, . Study of Surface Morphology of Helium Implanted Silicon[J]. Nuclear Physics Review, 2008, 25(2): 144-147. doi: 10.11804/NuclPhysRev.25.02.144

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